الیکٹرانکس، ڈسپلے اور دیگر شعبوں میں ٹارگٹ میٹریل کا اطلاق

جیسا کہ ہم سب جانتے ہیں، ٹارگٹ میٹریل ٹیکنالوجی کی ترقی کا رجحان نیچے کی دھارے کی ایپلی کیشن انڈسٹری میں فلم ٹیکنالوجی کی ترقی کے رجحان سے گہرا تعلق رکھتا ہے۔ایپلی کیشن انڈسٹری میں فلمی مصنوعات یا اجزاء کی تکنیکی بہتری کے ساتھ، ہدف کی ٹیکنالوجی کو بھی بدلنا چاہیے۔مثال کے طور پر، آئی سی مینوفیکچررز نے حال ہی میں کم مزاحمتی تانبے کی وائرنگ کی ترقی پر توجہ مرکوز کی ہے، جس سے اگلے چند سالوں میں اصل ایلومینیم فلم کو نمایاں طور پر تبدیل کرنے کی امید ہے، اس لیے تانبے کے اہداف اور ان کے مطلوبہ رکاوٹ کے اہداف کی ترقی فوری ہو گی۔

اس کے علاوہ، حالیہ برسوں میں، فلیٹ پینل ڈسپلے (FPD) نے بڑی حد تک کیتھوڈ رے ٹیوب (CRT) پر مبنی کمپیوٹر ڈسپلے اور ٹیلی ویژن مارکیٹ کی جگہ لے لی ہے۔یہ ITO اہداف کے لیے تکنیکی اور مارکیٹ کی طلب میں بھی بہت زیادہ اضافہ کرے گا۔اور پھر اسٹوریج ٹیکنالوجی ہے۔اعلی کثافت، بڑی صلاحیت والی ہارڈ ڈرائیوز اور ہائی ڈینسٹی ایریز ایبل ڈسکس کی مانگ میں مسلسل اضافہ ہوتا جا رہا ہے۔ان سب کی وجہ سے ایپلی کیشن انڈسٹری میں ٹارگٹ میٹریل کی مانگ میں تبدیلی آئی ہے۔مندرجہ ذیل میں، ہم ہدف کے بنیادی اطلاق کے شعبوں اور ان شعبوں میں ہدف کے ترقیاتی رجحان کو متعارف کرائیں گے۔

　　1. مائیکرو الیکٹرانکس

تمام ایپلی کیشن انڈسٹریز میں، سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں ٹارگٹ سپٹرنگ فلموں کے لیے معیار کے سب سے سخت تقاضے ہوتے ہیں۔12 انچ (300 epistaxis) کے سلیکون ویفرز اب تیار کیے گئے ہیں۔باہم ربط کی چوڑائی کم ہو رہی ہے۔ٹارگٹ میٹریل کے لیے سلیکون ویفر مینوفیکچررز کی ضروریات بڑے پیمانے پر، اعلیٰ پاکیزگی، کم علیحدگی اور باریک اناج ہیں، جس کے لیے ہدف والے مواد کو بہتر مائیکرو اسٹرکچر کی ضرورت ہوتی ہے۔کرسٹل لائن ذرہ قطر اور ہدف کے مواد کی یکسانیت کو فلم جمع کرنے کی شرح کو متاثر کرنے والے اہم عوامل کے طور پر سمجھا جاتا ہے۔

ایلومینیم کے مقابلے میں، تانبے میں الیکٹرو موبلٹی مزاحمت اور کم مزاحمتی صلاحیت ہوتی ہے، جو 0.25um سے نیچے کی سب مائیکرون وائرنگ میں کنڈکٹر ٹیکنالوجی کی ضروریات کو پورا کر سکتی ہے، لیکن یہ دیگر مسائل لاتا ہے: تانبے اور نامیاتی درمیانے مواد کے درمیان کم چپکنے والی طاقت۔مزید یہ کہ، رد عمل کرنا آسان ہے، جو چپ کے استعمال کے دوران تانبے کے آپس میں جڑے ہوئے سنکنرن اور سرکٹ کے ٹوٹنے کا باعث بنتا ہے۔اس مسئلے کو حل کرنے کے لیے، تانبے اور ڈائی الیکٹرک پرت کے درمیان ایک رکاوٹ کی تہہ قائم کی جانی چاہیے۔

تانبے کے باہمی ربط کی رکاوٹ کی تہہ میں استعمال ہونے والے ہدفی مواد میں Ta، W، TaSi، WSi وغیرہ شامل ہیں۔ لیکن Ta اور W ریفریکٹری دھاتیں ہیں۔اسے بنانا نسبتاً مشکل ہے، اور مولبڈینم اور کرومیم جیسے مرکبات کا متبادل مواد کے طور پر مطالعہ کیا جا رہا ہے۔

　　2. ڈسپلے کے لیے

فلیٹ پینل ڈسپلے (FPD) نے کیتھوڈ رے ٹیوب (CRT) پر مبنی کمپیوٹر مانیٹر اور ٹیلی ویژن مارکیٹ کو کئی سالوں میں بہت زیادہ متاثر کیا ہے، اور ITO ٹارگٹ میٹریل کی ٹیکنالوجی اور مارکیٹ کی طلب کو بھی آگے بڑھائے گا۔آج دو طرح کے ITO اہداف ہیں۔ایک انڈیم آکسائیڈ اور ٹن آکسائیڈ پاؤڈر کی نینو میٹر سٹیٹ کو سنٹرنگ کے بعد استعمال کرنا ہے، دوسرا انڈیم ٹن الائے ٹارگٹ کا استعمال کرنا ہے۔آئی ٹی او فلم کو انڈیم ٹن الائے ٹارگٹ پر ڈی سی ری ایکٹیو سپٹرنگ کے ذریعے من گھڑت بنایا جا سکتا ہے، لیکن ہدف کی سطح آکسائڈائز کرے گی اور اسپٹرنگ کی شرح کو متاثر کرے گی، اور بڑے سائز کے الائے ٹارگٹ کو حاصل کرنا مشکل ہے۔

آج کل، پہلا طریقہ عام طور پر ITO ٹارگٹ میٹریل تیار کرنے کے لیے اپنایا جاتا ہے، جو کہ میگنیٹران اسپٹرنگ ری ایکشن کے ذریعے پھٹنے والی کوٹنگ ہے۔اس میں جمع کرنے کی تیز رفتار شرح ہے۔فلم کی موٹائی کو درست طریقے سے کنٹرول کیا جاسکتا ہے، چالکتا زیادہ ہے، فلم کی مستقل مزاجی اچھی ہے، اور سبسٹریٹ کا چپکنا مضبوط ہے۔لیکن ہدف کا مواد بنانا مشکل ہے، کیونکہ انڈیم آکسائیڈ اور ٹن آکسائیڈ آسانی سے ایک ساتھ نہیں بنتے۔عام طور پر، ZrO2، Bi2O3 اور CeO کو sintering additives کے طور پر منتخب کیا جاتا ہے، اور نظریاتی قدر کے 93%~98% کی کثافت کے ساتھ ہدف کا مواد حاصل کیا جا سکتا ہے۔اس طرح سے بننے والی ITO فلم کی کارکردگی کا additives کے ساتھ بہت اچھا تعلق ہے۔

اس طرح کے ٹارگٹ میٹریل کا استعمال کرتے ہوئے حاصل کی جانے والی ITO فلم کی بلاکنگ ریزسٹویٹی 8.1×10n-cm تک پہنچ جاتی ہے، جو کہ خالص ITO فلم کی مزاحمتی صلاحیت کے قریب ہے۔FPD اور conductive گلاس کا سائز کافی بڑا ہے، اور conductive گلاس کی چوڑائی 3133mm تک بھی پہنچ سکتی ہے۔ٹارگٹ میٹریل کے استعمال کو بہتر بنانے کے لیے ITO ٹارگٹ میٹریل کو مختلف شکلوں کے ساتھ تیار کیا جاتا ہے، جیسے بیلناکار شکل۔2000 میں، نیشنل ڈیولپمنٹ پلاننگ کمیشن اور سائنس اور ٹیکنالوجی کی وزارت نے انفارمیشن انڈسٹری کے کلیدی شعبوں کے لیے رہنما خطوط میں آئی ٹی او کے بڑے اہداف کو شامل کیا جو فی الحال ترقی کے لیے ترجیحی ہیں۔

　　3. ذخیرہ کرنے کا استعمال

سٹوریج ٹیکنالوجی کے لحاظ سے، اعلی کثافت اور بڑی صلاحیت والی ہارڈ ڈسک کی ترقی کے لیے بڑی تعداد میں بڑے ہچکچاہٹ والے فلمی مواد کی ضرورت ہوتی ہے۔CoF~Cu ملٹی لیئر کمپوزٹ فلم وشال ہچکچاہٹ والی فلم کا وسیع پیمانے پر استعمال شدہ ڈھانچہ ہے۔مقناطیسی ڈسک کے لیے درکار TbFeCo الائے ٹارگٹ میٹریل ابھی مزید ترقی میں ہے۔TbFeCo کے ساتھ تیار کی گئی مقناطیسی ڈسک میں ذخیرہ کرنے کی بڑی گنجائش، طویل سروس لائف اور بار بار رابطہ نہ ہونے سے صاف ہونے کی خصوصیات ہیں۔

اینٹیمونی جرمینیئم ٹیلورائیڈ پر مبنی فیز چینج میموری (پی سی ایم) نے نمایاں تجارتی صلاحیت ظاہر کی، حصہ بنتا ہے اور نہ ہی فلیش میموری اور ڈی آر اے ایم مارکیٹ ایک متبادل اسٹوریج ٹیکنالوجی، تاہم، عمل درآمد میں تیزی سے نیچے کی جانے والی سڑک پر موجود چیلنجوں میں سے ایک کو دوبارہ ترتیب دینے کی کمی ہے۔ موجودہ پیداوار مزید مکمل طور پر مہربند یونٹ کم کیا جا سکتا ہے.ری سیٹ کرنٹ کو کم کرنا میموری پاور کی کھپت کو کم کرتا ہے، بیٹری کی زندگی کو بڑھاتا ہے، اور ڈیٹا بینڈوتھ کو بہتر بناتا ہے، آج کے ڈیٹا سینٹرک، انتہائی پورٹیبل کنزیومر ڈیوائسز میں تمام اہم خصوصیات۔